Новости

Новосибирские физики использовали мультиграфен для изготовления флешки

07.09.16 20:49 | Просмотров: 158

Ученые из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП) СО РАН создали флеш-память на основе мультиграфена. Устройство по быстродействию и времени хранения информации превосходит аналоги, созданные из других материалов.

Ученые из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП) СО РАН создали флеш-память на основе мультиграфена. Устройство по быстродействию и времени хранения информации превосходит аналоги, созданные из других материалов.

Принцип работы уникального накопителя основан на инжекции и хранении электрического заряда  запоминающейся среде, в качестве которой выступает мультиграфен. Также флеш-память имеет туннельный слой из оксида кремния и блокирующий слой из диэлектрика в высокой диэлектрической проницаемости.

Производительность таких устройств зависит от работы выхода запоминающей среды. Она выражается в энергии, затраченной на удаление электрона из вещества. Применяемый мультиграфен демонстрирует большую работу выхода для электронов, примерно 5 эВ(электронвольт). Таким образом на границе мультиграфена и оксида кремния величина потенциального барьера выше и равна 4эВ. Данный эффект стал основой исследования новосибирских физиков.

Находящийся между туннельным и блокирующим слоями мультиграфен  - это глубокая яма потенциала для сбрасывания заряда и его длительного хранения. Геометрию такой флеш-памяти можно оптимизировать, к примеру снизить толщину туннельного слоя.Кремниевая флеш-память  на границе основного вещества и его оксида обладает величиной потенциального барьера в 3,1 эВ. При применении в них более толстых туннельных и блокирующих слоев быстродействие устройств уменьшается.

По словам Юрия Новикова,  поскольку флеш-память на основе мультиграфена не нуждается в толстом туннельном слое, то её быстродействие увеличивается в 2-3 раза. Кроме того, можно использовать более низкие напряжения перепрограммирования, высокий показатель работы выхода обуславливает длительное хранение инжектированного заряда.

 

Ученые пока не говорят о масштабном производстве флеш-памяти с использованием мультиграфена. На сегодняшний день они проводят только фундаментальные исследования на опытных образцах. Для запуска коммерческого производства России необходим завод с современными технологиями. Стоимость проекта оценивается в 5 млрд долларов.

ясно

19 21°C

завтра 29 31°C

Закрыть


Забыли пароль?
Регистрация